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Part number : JCS4N65FB-O-F-N-B

Functions : This is a kind of semiconductor, N-CHANNEL MOSFET.

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R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS4N65B 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson (@Vgs=10V) Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 4.0 A 6R 0 V 2.R Ω 13.3nC APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS FEATURES z Low gate charge z Low Crss (typical 9pF ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z RoHS product 产品特性 z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 9pF) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z RoHS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS4N65VB-O-V-N-B JCS4N65RB-O-R-N-B JCS4N65CB-O-C-N-B JCS4N65FB-O-F-N-B 印 记 封 装 无卤素 Halogen Free 否 否 否 否 NO NO NO NO 包 装 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 器件重量 Device Weight 0.35 g(typ) 0.30 g(typ) 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) Marking JCS4N65VB JCS4N65RB JCS4N65CB JCS4N65FB Package IPAK DPAK TO-220C TO-220MF 版本:201011A 1/12 R 绝对最大额定值 项 目 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 数 符 号 JCS4N65VB/RB Value JCS4N65B 值 单 位 JCS4N65FB Uni t V 4.0* 2.5* A A Parameter 最高漏极-源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current Symbol JCS4N65CB 650 VDSS ID T=25℃ T=100℃ IDM 4.0 2.5 -continuous 最大脉冲漏极电流(注 1) Drain Current – pulse (note 1) 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量(注 2) Single Pulsed Avalanche Energy note 2) 雪崩电流(注 1) Avalanche Current (note 1) 重复雪崩能量(注 1) Repetitive Avalanche Current (note 1) 二极管反向恢复最大电压变化 速率(注 3) Peak Diode Recovery dv/dt (note 3) 16 16* A VGSS ±30 V EAS 240 mJ IAR 4.0 A EAR 10.0 mJ dv/dt 5.5 V/n s 33 W W/ ℃ 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ TJ,TSTG 51 100 0.39 0. [ … ]


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