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Part number : 3DD13007K

Functions : This is a kind of semiconductor, HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR.

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R NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 3DD13007K 主要参数 IC VCEO PC(TO-220) MAIN CHARACTERISTICS 8A 400V 80W 封装 Package 用途 z z z z z 节能灯 电子镇流器 高频开关电源 高频功率变换 一般功率放大电路 APPLICATIONS z Energy-saving ligh z Electronic ballasts z High frequency switching power supply z High frequency power transform z Commonly power amplifier 产品特性 z 高耐压 z 高电流容量 z 高开关速度 z 高可靠性 z 环保(RoHS)产品 FEATURES z High breakdown voltage z High current capability z High switching speed z High reliability z RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes 3DD13007K-O-Z-N-C 印 记 否 无卤素 Halogen Free NO 封 装 包 装 Marking D13007K Package TO-220 Packaging 袋装 Bag 版本:200910C 1/5 Free Datasheet http:/// R 3DD13007K ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol VCEO VEBO IC ICP IB IBP PC Tj Tstg 数 值 Value 700 400 9 8 16 4 8 80 150 -55~+150 单 位 Unit V V V A A A A W ℃ ℃ 绝对最大额定值 集电极—发射极直流电压 集电极—发射极直流电压 发射极—基极直流电压 最大集电极直流电流 最大集电极脉冲电流 最大基极直流电流 最大基极脉冲电流 最大集电极耗散功率 最高结温 贮存温度 Collector- Emitter Voltage(VBE=0) VCES Collector- Emitter Voltage(IB=0) Emitter-Base Voltage Collector Current(DC) Collector Current(pulse) Base Current(DC) Base Current(pulse) Total Dissipation (TO-220) Junction Temperature Storage Temperature 注:pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%. 电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC 项 V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO Hfe(1) Hfe(2) VCE(sat)(1) VCE(sat)(2) VBE(sat) tf ts fT 目 Parameter 测试条件 Tests conditions IC=10mA,IB=0 IC=1mA,IB=0 IE=1mA,IC=0 VCB= [ ... ]

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